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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB60R099C6XT 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) TO-263

内部编号

173-IPB60R099C6XT

生产厂商

infineon technologies

infineon

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

IPB60R099C6XT产品详细规格

规格书 IPB60R099C6XT datasheet 规格书
包装 3TO-263
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 37.9 A
RDS -于 99@10V mOhm
最大门源电压 20 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 75 ns
典型下降时间 6 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel

IPB60R099C6XT系列产品

型号厂家产品描述
IPB60R099C6 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(3+Tab) TO-263
IPB60R099C6ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R099CP infineon technologies Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R099CPA infineon technologies Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 31A
IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R099CST Infineon Technologies AG GREEN
IPB60R099CSXT Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R125C6 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(3+Tab) TO-263
IPB60R125CP infineon technologies Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R160C6 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 4-Pin(3+Tab) TO-263
IPB60R160C6ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R165CP infineon technologies Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R190C6 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 4-Pin(3+Tab) TO-263
IPB60R190C6ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB60R199CP infineon technologies Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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